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Panasonic Semiconductor 		2SD772 Datasheet pdf image
212Kb/5P		 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR
2SC3169 Datasheet pdf image
59Kb/1P		 Si NPN Triple Diffused Planar
2SD1032 Datasheet pdf image
216Kb/5P		 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR
2SD389 Datasheet pdf image
208Kb/5P		 Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SD858 Datasheet pdf image
229Kb/5P		 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR
2SD691 Datasheet pdf image
212Kb/5P		 Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SC2415 Datasheet pdf image
219Kb/5P		 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA
2SD750 Datasheet pdf image
205Kb/4P		 SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SC2414 Datasheet pdf image
236Kb/5P		 Si NPN Triple Diffused Mesa
2SD917 Datasheet pdf image
91Kb/2P		 SILICON TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
2SD334 Datasheet pdf image
251Kb/6P		 SI NPN DIFFUSED JUCTION MESA
2SD803 Datasheet pdf image
280Kb/6P		 SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SD1325 Datasheet pdf image
345Kb/6P		 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR DARLINGTON
2SC3796 Datasheet pdf image
80Kb/1P		 Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type
2SD1162 Datasheet pdf image
36Kb/1P		 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR
2SD649 Datasheet pdf image
190Kb/4P		 Si NPN Triple Diffused Junction Mesa
2SC3528 Datasheet pdf image
130Kb/3P		 Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type
2SD1044 Datasheet pdf image
258Kb/6P		 SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON
2SD1318 Datasheet pdf image
350Kb/6P		 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR DARLINGTON
2SC3527 Datasheet pdf image
68Kb/1P		 Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type

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DIFFUSED とは

電子コンポーネントでは、「拡散」は半導体製造プロセスで一般的に使用される用語です。

半導体製造プロセスでは、「拡散」とは一般に、不純物を半導体材料に溶解し、酸化反応を引き起こして目的の半導体デバイスを作成する技術を指します。

これらの技術は、半導体デバイスの特性を決定する上で重要なプロセスの1つです。

たとえば、シリコンを使用した半導体デバイスでは、拡散（不純物を融解することにより酸化反応を引き起こす技術）が一般的に使用され、デバイス内にPN接合部（陽性接合部）を形成します。

このPN接合部は、さまざまな電子コンポーネントで使用されるダイオード、トランジスタ、および積分回路の基本的なコンポーネントの1つであり、半導体デバイスの電気特性を決定する重要な要素です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。


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