EPITAXIAL Datasheet(PDF) - 2N4400 - Nanjing International Group Co

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EPITAXIAL とは

電子コンポーネントでは、「エピタキシャル」は半導体製造技術で使用される用語であり、重要な成長プロセスを持つ半導体層を形成する技術を指します。この技術は、特にシリコンベースの半導体製造において、半導体デバイスの性能を向上させるために使用されます。

エピタキシャル堆積とは、既存の半導体プロトタイプの上に1つ以上の追加層を堆積するプロセスです。このプロセスはエピタキシーとも呼ばれ、通常、化学蒸気堆積（CVD）や物理蒸気堆積（PVD）などの方法を使用して行われます。

エピタキシャル堆積は、さまざまな目的に使用されます。

パフォーマンスの向上：半導体デバイスの基本材料よりも高品質の結晶構造を形成することにより、電子移動度と速度を向上させます。

ドーピング：エピタキシャルプロセスでは、特定の原子またはイオンをドープして、望ましい電気特性を与えることができます。

安定性の向上：エピタキシャル層は、基礎となるプロトタイプと同じ格子構造を持ち、他の技術によって形成される層よりも安定しています。

デバイスの統合：エピタキシャルプロセスは、複数のデバイスを複数の層を堆積させることにより、単一の半導体チップに統合するために使用されます。

エピタキシャル堆積は、半導体製造における重要な技術と考えられており、半導体デバイスのパフォーマンスと効率を改善する上で重要な役割を果たしています。この技術は、高性能マイクロプロセッサ、メモリチップ、LEDなど、半導体業界で幅広い製品の開発の基礎を形成しています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Nanjing International G...	2N4400	87Kb/4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	2SA1203	476Kb/4P	Silicon Planar Epitaxial Transistor
	2SC2873	511Kb/4P	Silicon NPN Epitaxial Transistor
	2N4402	120Kb/5P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
	KTC4376	494Kb/4P	Epitaxial Planar NPN Transistor
	2SD999	814Kb/5P	NPN Silicon Epitaxial Transistor
	8050-1.5A	64Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
	MMBD914	277Kb/2P	Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
	MMBT9014	99Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
	ZMM1B	167Kb/8P	Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes
	MMBD4148	98Kb/2P	Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
	9018	44Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
	ST2SC4375U	369Kb/3P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
	2SA2071U	422Kb/3P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
	2SC4548	490Kb/4P	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
	2N2222	142Kb/3P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
	MCL4448	87Kb/2P	Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
	HZ	92Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes
	LL914	65Kb/1P	Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
	ZMC1	80Kb/2P	Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes

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