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JUNCTION データシート, PDF

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Vishay Siliconix 		GPP20A Datasheet pdf image
19Kb/2P		 Glass Passivated Junction Rectifiers
15-Mar-02
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95Kb/4P		 Glass passivated chip junction
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76Kb/4P		 Glass Passivated Junction Rectifier
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80Kb/4P		 Glass Passivated Junction Rectifier
Revision: 15-Mar-11
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89Kb/4P		 Oxide planar chip junction
Revision: 23-Oct-13
1N5614GP Datasheet pdf image
105Kb/4P		 Glass Passivated Junction Rectifier
Revision: 03-Apr-08
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Revision: 15-Mar-11
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70Kb/4P		 Glass Passivated Junction Rectifier
Revision: 18-Aug-09

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JUNCTION とは

電子コンポーネントのジャンクションは、P-N接合部を意味します。

P-N接合部はさまざまな電子コンポーネントで使用され、半導体デバイスの重要なコンポーネントの1つです。

P-N接合部は、P型半導体とN型半導体を接続することにより行われます。この時点で、PN接合部は、電子と穴がp型半導体とN型半導体の接合部の近くを結合するように形成されます。

このプロセスでは、電荷の流れはP-N接合部の近くで妨げられ、電流が流れない領域を形成し、この領域を使用してさまざまな電子コンポーネントが構築されます。

P-nジャンクションは、半導体デバイスで重要な役割を果たします。

ダイオードやトランジスタなどのさまざまなデバイスで使用され、電子コンポーネントの電気信号の変換、制御、処理に使用されます。

さらに、P-N接合部も太陽電池で使用されており、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する上で重要な役割を果たします。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。


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