MOSFET Datasheet(PDF) - HYG170C03LR1S - HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

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MOSFET とは

金属酸化物 - 半導体フィールド効果トランジスタ（MOSFET）は、電源、モータードライブ、インバーターなどの高出力アプリケーションの制御に使用されるパワー半導体デバイスの一種です。

これは、フィールドエフェクトトランジスタ（FET）の一種です。つまり、電界を使用してソース端子と排水端子間の流れを制御することで動作します。

MOSFETでは、電流の流れは、薄い絶縁層によってデバイスの残りの部分から分離されるゲートとして機能する薄い金属酸化フィルムによって制御されます。

ゲート電圧は、ソース端子とドレイン端子間のチャネルの幅を制御し、デバイスを通る電流の流れを決定します。

N-ChannelとPチャネルの2つの主要なタイプがあります。 NチャネルMOSFETには、N型材料がドープされたチャネルがあり、PチャネルMOSFETにはPタイプの材料がドープされたチャネルがあります。

MOSFETは、高入力インピーダンス、低い状態抵抗、高速スイッチング速度、高効率など、他のタイプのパワー半導体よりもいくつかの利点を提供します。

また、非常に用途が広く、電源、モータードライブ、インバーターなどのさまざまなアプリケーションで使用できます。

ただし、MOSFETには、限られた電圧定格やデバイスを制御するゲートドライブ回路の必要性など、いくつかの欠点もあります。

さらに、熱暴走の影響を受けやすく、デバイスが過熱すると故障する可能性があります。

このリスクを軽減するために、MOSFETは、熱保護装置やスナバー回路など、他のコンポーネントと組み合わせて使用されることがよくあります。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
HUAYI MICROELECTRONICS ...	HYG170C03LR1S	1Mb/14P	30V Complementary MOSFET
	HYG170C03LA1S	1Mb/14P	30V Complementary MOSFET
	HYG045P03LQ1D	1Mb/11P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY12P03S	2Mb/11P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY045N10MF	1Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY1103S	988Kb/10P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY1504D	1Mb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY3404P	695Kb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY3704P	1,019Kb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY4004P	958Kb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY1206D	1Mb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY1506D	991Kb/12P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY1607D	1Mb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY3506W	769Kb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY3606P	520Kb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY3906W	723Kb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY4306B6	635Kb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY4306P	518Kb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HYG420N06LR1D	1Mb/11P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	HY3215P	974Kb/14P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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