PLANAR Datasheet(PDF) - BAT18 - NXP Semiconductors

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PLANAR データシート, PDF

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	BAT18	51Kb/7P	Silicon planar diode Rev. 02-31 August 2004
	BAT18,215	51Kb/7P	Silicon planar diode Rev. 02-31 August 2004
	BF450	135Kb/2P	HF SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS June 1992
	BAP65-02.115	108Kb/9P	Planar PIN diode in a SOD523 ultra small SMD plastic package Rev. 5-28 September 2010
	BT151500R.127	161Kb/11P	Planar passivated SCR (Silicon Controlled Rectifier) in a SOT78 plastic package. Rev. 05-2 March 2009
	BFR520.215	169Kb/14P	The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package Rev. 4-13 September 2011
	BAT54AW.115	287Kb/11P	Planar Schottky barrier diodes with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a very small SOT323 Rev. 3-20 November 2012
	BAT54C.215	302Kb/11P	Planar Schottky barrier diodes with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Rev. 5-5 October 2012
	PMEG6002EB115	74Kb/10P	Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifiers with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in ultra small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages Rev. 01-24 November 2006
	PMEG3010EP115	97Kb/13P	Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD128 small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Rev. 01-30 December 2008

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PLANAR とは

平面（平面）は電子コンポーネントの一種であり、フラット要素を意味します。

平面技術は、高度に統合された電子回路を作成するために使用される半導体製造技術の1つです。

平面技術は、半導体の製造プロセスで使用されます。一般に、回路は、シリコンウェーハ（半導体基質）で酸化物膜をコーティングした後、光学リソグラフィによって形成されます。

多層構造を使用して回路を作成する方法と比較して、平面技術には、単純な回路作成プロセスや回路の精度の向上などの利点があります。

平面は、通常、MOSFET（金属酸化物 - 陰誘導体フィールド効果トランジスタ）、ダイオード、ICSなどのトランジスタ、さまざまな電子コンポーネントで使用されます。

平面技術は、電子製品のパフォーマンス改善と高速を可能にする上で重要な役割を果たします。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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