SCHOTTKY Datasheet(PDF) - ND487R1T - Renesas Technology Corp

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SCHOTTKY とは

「Schottky」は、半導体電子コンポーネントで使用される用語の1つです。

「Schottky」は「Schottky Barrier」を意味します。これは、P型半導体と金属の接合部で形成されます。このような接合部の特性は、導電率が高く、飽和電圧が低く、スイッチング速度が高く、ノイズレベルが低いことです。

これらのプロパティは、電子コンポーネント設計で非常に役立ちます。

したがって、「Schottky Diode」は半導体デバイスの一種であり、Schottkyバリアを使用して構築されています。

他のダイオードと比較して、Schottkyダイオードは高速と効率、低電圧損失、速い応答を持っています。

Schottkyダイオードは、主に電力コンバーター、RFレシーバー、高速スイッチング回路で使用されます。

また、「Schottky Transistor」は、低電圧で高電流を提供する半導体デバイスであり、Schottkyバリアを使用してゲートとチャネルの間の接合部を形成します。

これらのデバイスは、電力コンバーター、高速スイッチング回路、およびRFアンプで使用されます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Renesas Technology Corp	ND487R1T	245Kb/6P	SCHOTTKY BARRIER DIODE 1993
	ND411G-1R	208Kb/4P	SCHOTTKY BARRIER DIODE 1989
	RJS6004WDPK	70Kb/4P	SiC Schottky Barrier Diode
	ND487R2T	251Kb/6P	SCHOTTKY BARRIER DIODE QUAD 1993
	ND434G	290Kb/8P	SCHOTTKY BARRIER DIODE QUAD 1993
	ND487C1T	256Kb/6P	SCHOTTKY BARRIER DIODE QUAD 1993
	ND487C2T	254Kb/6P	SCHOTTKY BARRIER DIODE QUAD 1993
	RJS6005TDPPEJ	68Kb/4P	SiC Schottky Barrier Diode
	RJS6005WDPK	68Kb/4P	SiC Schottky Barrier Diode
	RJS6004TDPEJ	68Kb/4P	SiC Schottky Barrier Diode
	ND433G	298Kb/8P	SCHOTTKY BARRIER DIODE QUAD 1993
	UPA2680T1E	367Kb/11P	MOSFET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE 2006
	RKR0503BKJ	77Kb/8P	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
	HRD0203C	51Kb/8P	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE FOR RECTIFYING
	HRC0103C	83Kb/6P	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
	HSC278	142Kb/5P	Silicon Schottky Barrier Diode for Detector
	HSD278	142Kb/5P	Silicon Schottky Barrier Diode for Detector
	HRW0202A	72Kb/6P	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
	HRW0302A	71Kb/6P	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
	HRW0503A	73Kb/6P	Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying

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