データシートサーチシステム
  Japanese  ▼
ALLDATASHEET.JP

X  



JUNCTION データシート, PDF

検索されたキーワード : 'junction' - 結果は: 3318 (1/166) Pages
メーカー部品番号データシート部品情報
Company Logo Img
SynSemi, Inc.
GN3A Datasheet pdf image
40Kb/2P
GLASS PASSIVATED JUNCTION GLASS PASSIVATED JUNCTION
Company Logo Img
Beckhoff Automation Gmb...
CU1128 Datasheet pdf image
196Kb/1P
EtherCAT junction
Company Logo Img
Suntan Capacitors
SKBPC25005 Datasheet pdf image
829Kb/4P
Diffused Junction
SKBPC35005 Datasheet pdf image
804Kb/4P
Diffused Junction
Company Logo Img
List of Unclassifed Man...
K825 Datasheet pdf image
42Kb/2P
Junction Boxes
Company Logo Img
M/A-COM Technology Solu...
H-9 Datasheet pdf image
66Kb/2P
Hybrid Junction
Company Logo Img
Merrimac Industries, In...
HJD-2Z-1.9G Datasheet pdf image
219Kb/5P
HYBRID JUNCTION
Company Logo Img
Shenzhen Yixinwei Techn...
KBL400 Datasheet pdf image
158Kb/2P
Diffused Junction
Company Logo Img
Pentair plc. All rights...
A606CHNFSS Datasheet pdf image
340Kb/2P
Junction Boxes
Company Logo Img
Littelfuse
T10B Datasheet pdf image
70Kb/1P
Glass passivated junction
Company Logo Img
Leshan Radio Company
FR156G Datasheet pdf image
206Kb/7P
Glass Passivated Junction
RGP30J Datasheet pdf image
195Kb/7P
Glass Passivated Junction
UGP10D Datasheet pdf image
305Kb/7P
Glass Passivated Junction
Company Logo Img
Silikron Semiconductor ...
SSBD10L100CT Datasheet pdf image
462Kb/6P
High Junction Temperature
SSBD5L150A Datasheet pdf image
297Kb/5P
High Junction Temperature
SSTS2065 Datasheet pdf image
320Kb/6P
High Junction Temperature
Company Logo Img
Leshan Radio Company
1N4944G Datasheet pdf image
199Kb/7P
Glass Passivated Junction
UGP10B Datasheet pdf image
305Kb/7P
Glass Passivated Junction
Company Logo Img
Silikron Semiconductor ...
SSBD1045G Datasheet pdf image
318Kb/5P
High Junction Temperature
SSMD4045PT Datasheet pdf image
286Kb/5P
High Junction Temperature

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



junction とは


電子コンポーネントのジャンクションは、P-N接合部を意味します。

P-N接合部はさまざまな電子コンポーネントで使用され、半導体デバイスの重要なコンポーネントの1つです。

P-N接合部は、P型半導体とN型半導体を接続することにより行われます。この時点で、PN接合部は、電子と穴がp型半導体とN型半導体の接合部の近くを結合するように形成されます。

このプロセスでは、電荷の流れはP-N接合部の近くで妨げられ、電流が流れない領域を形成し、この領域を使用してさまざまな電子コンポーネントが構築されます。

P-nジャンクションは、半導体デバイスで重要な役割を果たします。

ダイオードやトランジスタなどのさまざまなデバイスで使用され、電子コンポーネントの電気信号の変換、制御、処理に使用されます。

さらに、P-N接合部も太陽電池で使用されており、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する上で重要な役割を果たします。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。


リンク URL :

プライバシーポリシー
ALLDATASHEET.JP
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか?  [ DONATE ] 

Alldatasheetは   |   広告   |   お問い合わせ   |   プライバシーポリシー   |   リンク交換   |   メーカーリスト
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com