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DIFFUSED データシート, PDF

検索されたキーワード : 'DIFFUSED' - 結果は: 17 (1/1) Pages
メーカー部品番号データシート部品情報
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Unisonic Technologies
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SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
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TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
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SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
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80Kb/2P
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
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TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
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SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
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122Kb/3P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
ULB121 Datasheet pdf image
185Kb/4P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
HLB122 Datasheet pdf image
130Kb/3P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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129Kb/2P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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182Kb/4P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
PCR406 Datasheet pdf image
64Kb/2P
UTC PCR406 silicon controlled rectifiers are high performance planner diffused PNP devices

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DIFFUSED とは


電子コンポーネントでは、「拡散」は半導体製造プロセスで一般的に使用される用語です。

半導体製造プロセスでは、「拡散」とは一般に、不純物を半導体材料に溶解し、酸化反応を引き起こして目的の半導体デバイスを作成する技術を指します。

これらの技術は、半導体デバイスの特性を決定する上で重要なプロセスの1つです。

たとえば、シリコンを使用した半導体デバイスでは、拡散(不純物を融解することにより酸化反応を引き起こす技術)が一般的に使用され、デバイス内にPN接合部(陽性接合部)を形成します。

このPN接合部は、さまざまな電子コンポーネントで使用されるダイオード、トランジスタ、および積分回路の基本的なコンポーネントの1つであり、半導体デバイスの電気特性を決定する重要な要素です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。


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