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DIFFUSED データシート, PDF

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KEC(Korea Electronics) 		KTB1368 Datasheet pdf image
453Kb/2P		 TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
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359Kb/2P		 TACK SILICON DIFFUSED DIODE
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351Kb/1P		 STACK SILICON DIFFUSED DIODE
E50A2CS Datasheet pdf image
471Kb/2P		 STACK SILICON DIFFUSED DIODE
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NXP Semiconductors 		PHE13005X Datasheet pdf image
444Kb/13P		 Silicon diffused power transistor
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127Kb/9P		 Silicon Diffused Power Transistor
February 1999
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Galaxy Semi-Conductor H... 		KTC4372 Datasheet pdf image
222Kb/4P		 Triple Diffused NPN Transistor
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NXP Semiconductors 		BUJ100B Datasheet pdf image
65Kb/8P		 Silicon Diffused Power Transistor
May 2001-Rev 1.000
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List of Unclassifed Man... 		SSL-LXA223ID Datasheet pdf image
40Kb/1P		 AXIA LED RED DIFFUSED
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Renesas Technology Corp 		2SC1515 Datasheet pdf image
160Kb/5P		 Silicon NPN Triple Diffused
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147Kb/7P		 Silicon NPN Triple Diffused
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146Kb/7P		 Silicon NPN Triple Diffused
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147Kb/7P		 Silicon NPN Triple Diffused
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Guangdong Kexin Industr... 		2SC4499S Datasheet pdf image
39Kb/1P		 Silicon NPN Triple Diffused
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Ledil, Inc. 		FCP14966 Datasheet pdf image
6Mb/7P		 ~18째 diffused spot beam

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DIFFUSED とは

電子コンポーネントでは、「拡散」は半導体製造プロセスで一般的に使用される用語です。

半導体製造プロセスでは、「拡散」とは一般に、不純物を半導体材料に溶解し、酸化反応を引き起こして目的の半導体デバイスを作成する技術を指します。

これらの技術は、半導体デバイスの特性を決定する上で重要なプロセスの1つです。

たとえば、シリコンを使用した半導体デバイスでは、拡散（不純物を融解することにより酸化反応を引き起こす技術）が一般的に使用され、デバイス内にPN接合部（陽性接合部）を形成します。

このPN接合部は、さまざまな電子コンポーネントで使用されるダイオード、トランジスタ、および積分回路の基本的なコンポーネントの1つであり、半導体デバイスの電気特性を決定する重要な要素です。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。


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