FET Datasheet(PDF) - TP65H070L

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FET とは

FETはフィールドエフェクトトランジスタの略で、電子コンポーネントの1つです。

FETは、入力電圧の大きさと方向に応じて出力電流を制御するデバイスです。

FETは電力が少なく、高周波および高性能アプリケーションに適しています。

FETは、電気信号をチャネルに適用して、その導電率を制御することで機能します。

従来の双極トランジスタとは異なる方法で動作します。

FETは、チャネルを形成する半導体要素に電圧を適用することにより、チャネル内の電流を誘導します。

このようにして、FETは少量の電力を使用して出力電流を制御します。

MOSFET（金属酸化物半導体FET）やJFET（ジャンクションFET）など、さまざまな種類のフェットがあります。

MOSFETは最も一般的なタイプであり、電気的に分離されたチャネルを使用して動作します。

JFETは、PN接合部を使用してチャネルを形成する構造であり、電圧を適用せずに動作する構造です。

FETは電子コンポーネントで広く使用されています。主なアプリケーションは、高周波および高性能アプリケーション、統合回路、アンプ、スイッチングサーキット、フィルターなどです。

FETは、従来の双極トランジスタよりも低い電力消費と高速を提供することにより、電子デバイスのパフォーマンスを改善する上で大きな役割を果たします。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Transphorm Inc	TP65H070L	1Mb/13P	650V GaN FET PQFN Series Mar 2, 2021
	TP65H150LSG-TR	1Mb/13P	650V GaN FET PQFN Series
	TP65H070LDG-TR	1Mb/13P	650V GaN FET PQFN Series
	TPH3206PSB	1Mb/13P	650V GaN FET in TO-220
	TPH3212PS	1Mb/13P	650V GaN FET in TO-220
	TPH3208PS	1Mb/13P	650V GaN FET TO-220 Series
	TP90H180PS	1Mb/13P	900V GaN FET in TO-220
	TP65H035WS	1Mb/12P	650V Cascode GaN FET in TO-247
	TP65H050WS	1Mb/12P	650V Cascode GaN FET in TO-247
	TP65H300G4LSG-TR	1Mb/13P	650V SuperGaN??FET in PQFN (source tab)
	TP65H015G5WS	362Kb/7P	650V SuperGaN??FET in TO-247 (source tab)
	TP65H480G4JSG-TR	1Mb/13P	650V SuperGaNTM GaN FET in PQFN (source tab)
	TP65H070G4QS	2Mb/13P	650V SuperGaN® FET in TOLL (source tab) August 17, 2023
	TP65H050G4QS	1Mb/13P	650V SuperGaN® FET in TOLL (source tab) May. 14, 2023
	TP65H150BG4JSG	988Kb/12P	650V SuperGaN GaN FET in PQFN (source tab) November 7, 2023
	TP65H035G4QS	1Mb/13P	650V SuperGaN® FET in TOLL (source tab) Dec. 5, 2023
	TP65H150G4LSG	1Mb/12P	650V SuperGaN GaN FET in PQFN (source tab) September 12, 2023
	TP65H300G4LSG	1Mb/12P	650V SuperGaN® FET in PQFN (source tab) September 12, 2023
	TPH3205WSBQA	1Mb/13P	AEC-Q101 Qualified 650V GaN FET in TO-247
	TP65H050G4WS	1Mb/13P	650V SuperGaN® FET in TO-247 (source tab) July. 22, 2021

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