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FETS データシート, PDF

検索されたキーワード : 'FETS' - 結果は: 21 (1/2) Pages
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NXP Semiconductors
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N-channel FETs
April 1995
BSR56 Datasheet pdf image
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N-channel FETs
April 1991
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Dual-gate MOS-FETs
1996 Jul 30
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N-channel junction FETs
April 1995
BF861A Datasheet pdf image
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N-channel junction FETs
1997 Sep 04
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Dual-gate MOS-FETs
1995 Apr 25
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N-channel junction FETs
April 1995
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45Kb/7P
N-channel silicon junction FETs
1996 Jul 30
BF1211 Datasheet pdf image
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N-channel dual-gate MOS-FETs
2003 Dec 16
BF1109 Datasheet pdf image
145Kb/16P
N-channel dual-gate MOS-FETs
1997 Dec 08
BF909 Datasheet pdf image
148Kb/11P
N-channel dual gate MOS-FETs
1995 Apr 25
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128Kb/16P
N-channel dual-gate MOS-FETs
1999 May 14
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152Kb/16P
N-channel dual-gate MOS-FETs
1997 Dec 02
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N-channel single gate MOS-FETs
1999 May 14
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N-channel dual-gate MOS-FETs
2003 Nov 14
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111Kb/16P
N-channel dual gate MOS-FETs
1999 May 17
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114Kb/16P
N-channel dual gate MOS-FETs
1999 May 14
BF1201 Datasheet pdf image
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N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
2000 Mar 29
BF1202 Datasheet pdf image
116Kb/16P
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
2000 Mar 29
BF998 Datasheet pdf image
114Kb/12P
Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs
1996 Aug 01

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FETS とは


FETは「フィールドエフェクトトランジスタ」の略で、電子回路のスイッチまたはアンプとして使用される半導体デバイスの一種です。 FETは、ソース、ドレイン、ゲートを備えた3末端のデバイスです。

FETの動作は、双極トランジスタの場合のように、電荷キャリアの注入ではなく、電界による電荷キャリア(電子または穴)の流れの制御に基づいています。

FETには、ジャンクションFET(JFET)と金属酸化物陰屈強式(MOSFET)の2つの主要なタイプがあります。

JFETでは、逆バイアスされたPN接合部を使用して、ソース端子と排水端子の間にチャネルを形成する枯渇領域を作成します。チャネルの幅は、枯渇領域の幅を調節するゲート端子に適用される電圧によって制御されます。

JFETは通常、低ノイズアンプ回路で使用されます。これは、入力静電容量が非常に低く、入力インピーダンスが高いためです。

MOSFETでは、酸化物層を使用して、ゲートをチャネル領域から分離します。

酸化物層は絶縁体として機能し、ゲート端子を使用して、チャネルの導電率を制御する電界を作成します。

MOSFETは、入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低く、スイッチング速度が高速であるため、デジタルおよびアナログ回路で広く使用されています。

FETには、高入力インピーダンス、低消費電力、高いスイッチング速度など、他のタイプのトランジスタよりも多くの利点があります。

これらは、アンプ、発振器、スイッチ、電圧レギュレーターなど、幅広いアプリケーション、および論理ゲートやメモリセルなどのデジタル回路で使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。


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