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FETS とは

FETは「フィールドエフェクトトランジスタ」の略で、電子回路のスイッチまたはアンプとして使用される半導体デバイスの一種です。 FETは、ソース、ドレイン、ゲートを備えた3末端のデバイスです。

FETの動作は、双極トランジスタの場合のように、電荷キャリアの注入ではなく、電界による電荷キャリア（電子または穴）の流れの制御に基づいています。

FETには、ジャンクションFET（JFET）と金属酸化物陰屈強式（MOSFET）の2つの主要なタイプがあります。

JFETでは、逆バイアスされたPN接合部を使用して、ソース端子と排水端子の間にチャネルを形成する枯渇領域を作成します。チャネルの幅は、枯渇領域の幅を調節するゲート端子に適用される電圧によって制御されます。

JFETは通常、低ノイズアンプ回路で使用されます。これは、入力静電容量が非常に低く、入力インピーダンスが高いためです。

MOSFETでは、酸化物層を使用して、ゲートをチャネル領域から分離します。

酸化物層は絶縁体として機能し、ゲート端子を使用して、チャネルの導電率を制御する電界を作成します。

MOSFETは、入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低く、スイッチング速度が高速であるため、デジタルおよびアナログ回路で広く使用されています。

FETには、高入力インピーダンス、低消費電力、高いスイッチング速度など、他のタイプのトランジスタよりも多くの利点があります。

これらは、アンプ、発振器、スイッチ、電圧レギュレーターなど、幅広いアプリケーション、および論理ゲートやメモリセルなどのデジタル回路で使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。


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