FIELD Datasheet(PDF) - NP180N04TUK_15 - Renesas Technology Corp

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FIELD とは

「フィールド」という用語は、エレクトロニクスの分野で多くの点で使用できます。以下に、一般的に使用される意味のいくつかについて説明します。

フィールド効果トランジスタ（FET）：フィールド効果トランジスタは、電子コンポーネントの重要なコンポーネントの1つです。電気特性はゲート電圧によって制御され、主にアンプ、スイッチ、ロジック回路などのさまざまなアプリケーションで使用されます。

フィールドアレイ：所定のパターンに従っていくつかの要素が配置される構造。電子コンポーネント設計では、これらの配置を使用して、さまざまなセンサー、デバイス、または要素を組み合わせて複雑なシステムを構築できます。

磁場：電子成分のフィールドでは、磁場は磁気センサー、スピーカー、モーターなどの多くのデバイスで重要な役割を果たします。磁場は、電流または磁気を使用して動作するさまざまな成分に影響します。

電界：電子成分の設計では、電界は電気的相互作用を表し、電気信号伝達に関連するさまざまな要因に影響します。

電磁場：電子部品と電気装置の動作原理と特性を説明するために使用される概念。これは、電界と磁場の組み合わせで構成されており、無線波や信号伝送に関連する多くのアプリケーションで重要な役割を果たします。

FPGA（フィールドプログラム可能なゲートアレイ）：FPGAはプログラム可能なデジタルロジックデバイスであり、必要に応じてデジタル回路を構成および再プログラムできる半導体デバイスです。

そのため、「フィールド」という用語は、電子コンポーネントの分野でのさまざまな概念とアプリケーションを表す非常に用途の広い用語です。コンテキストに応じて、特定の意味を特定できます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Renesas Technology Corp	NP180N04TUK	253Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	2SK3353	224Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP60N04VUK	110Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP89N055PUK	112Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP90N04VUK	111Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP160N04TUK	235Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP160N055TUK	112Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP180N04TUJ	220Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP35N04YUG	231Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP90N03VHG	227Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP160N04TUJ	203Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA3753GR	142Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA2811T1L	227Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	N0300N	259Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP90N04VDG	323Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP109N04PUJ	318Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA2353	380Kb/9P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA2354	375Kb/9P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP90N055VDG	337Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA2743T1A	274Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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