FLASH Datasheet(PDF) - R20UT2921EJ0100 - Renesas Technology Corp

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FLASH とは

Flashは、データを電子デバイスに保存するために使用される不揮発性メモリ（NVME）テクノロジーの1つです。

フラッシュメモリは、電気的に消去可能なプログラム可能な読み取り専用メモリ（EEPROM）の代替として開発されました。

フラッシュメモリは、ほとんどの電子デバイスでデータを保存するために使用されます。

メモリのパフォーマンス、速度、アクセシビリティの点で非常に優れています。フラッシュメモリは、電源がオフになった場合でもデータをより速く保存し、データを保持できます。

このため、フラッシュメモリは、デジタルカメラ、スマートフォン、タブレット、USBドライブ、ソリッドステートドライブ（SSD）などのさまざまなデバイスで使用されています。

フラッシュメモリは、EEPROMに比べて高速、低コスト、および大きなストレージ容量を持っています。

ただし、フラッシュメモリには、ブロック全体を一度に消去および書き換えるのに時間がかかるという点で制限があります。

この制限は、頻繁なデータ変更を必要とするアプリケーションに問題を引き起こす可能性があります。

ただし、フラッシュテクノロジーの最近の開発により、これらの制限を克服するためにさまざまな技術が開発されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Renesas Technology Corp	R20UT2921EJ0100	159Kb/19P	Renesas Flash Programmer
	RL78	976Kb/61P	Renesas Flash Programmer
	RX100	1Mb/71P	Flash memory programming software
	PD70F3178	597Kb/40P	32-Bit Flash Microcontroller
	RJP4009ANS	96Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP4002ANS	87Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	CY25CAJ-8F	58Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP5001APP-M0	65Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP4006AGE	125Kb/7P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP4003ANS	87Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP4003ASA	136Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	CY25BAJ-8F	57Kb/4P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP4301APP	191Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP4007ANS	96Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP5001APP	102Kb/7P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP4301APP-M0	64Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash Apr 26, 2012
	RJP5001APP-M0	64Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash Apr 26, 2012
	RJP4009ANS	96Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	RJP4301APP-M0	65Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash
	CY20AAJ-8	159Kb/5P	Nch IGBT for Strobe Flash

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