IGBT Datasheet(PDF) - TG0005C - Solid States Devices, Inc

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IGBT データシート, PDF

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Solid States Devices, I...	TG0005C	201Kb/3P	ultrafast IGBT
	PM0002	83Kb/2P	IGBT POWER MODULE
	PM0010	82Kb/2P	IGBT POWER MODULE
	TG0002	32Kb/2P	FAST POWER IGBT
	TG0002	32Kb/2P	FAST POWER IGBT
	TG0004B	165Kb/2P	Fast Power IGBT
	TG0005C	201Kb/3P	saturation ultrafast IGBT
	PM0010	82Kb/2P	IGBT POWER MODULE
	TG0004B	165Kb/2P	Fast Power IGBT
	PM0002	83Kb/2P	IGBT POWER MODULE
	SSG55N60	160Kb/3P	1.65 V saturation ultrafast IGBT
	SSG42N60	31Kb/2P	50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT
	SSG60N60	33Kb/2P	85 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT
	SPMQ613-02	148Kb/3P	600V, 400A FAST SWITCHING IGBT HALF BRIDGE
	SPMQ613-01	140Kb/3P	600V, 200A FAST SWITCHING IGBT HALF BRIDGE
	SSG55N60	64Kb/2P	55 AMP /600 Volts 1.65 V saturation ultrafast IGBT
	SPMQ496-01	81Kb/2P	400 AMP/600 VOLTS IGBT POWER MODULE FOR SPACE APPLICATIONS
	SSG200EF60E	131Kb/2P	200 AMP N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE 600 VOLTS
	SPMQ461-01	82Kb/2P	200 AMP/600 VOLTS HALF BRIDGE IGBT POWER MODULE FOR SPACE APPLICATIONS
	SHA489	169Kb/2P	IGBT REPLACEMENT ULTRA FAST SWITCHING DEVICE 200 Amps 250 Volts 1000 Watts

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IGBT とは

絶縁ゲート双極トランジスタ（IGBT）は、電源、モータードライブ、インバーターなどの高電圧アプリケーションを制御するために使用されるパワー半導体デバイスの一種です。双極ジャンクショントランジスタ（BJT）の高速スイッチング速度と、金属酸化物陰導体フィールド効果トランジスタ（MOSFET）の電圧制御ゲートを組み合わせます。

IGBTは、入力段階としてMOSFETを使用し、出力ステージとして双極接合トランジスタを使用して動作します。

MOSFETのゲートは、デバイスの残りの部分から分離されているため、高電圧動作と信頼性が向上します。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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