JUNCTION Datasheet(PDF) - HCS80R650E

JUNCTION とは

電子コンポーネントのジャンクションは、P-N接合部を意味します。

P-N接合部はさまざまな電子コンポーネントで使用され、半導体デバイスの重要なコンポーネントの1つです。

P-N接合部は、P型半導体とN型半導体を接続することにより行われます。この時点で、PN接合部は、電子と穴がp型半導体とN型半導体の接合部の近くを結合するように形成されます。

このプロセスでは、電荷の流れはP-N接合部の近くで妨げられ、電流が流れない領域を形成し、この領域を使用してさまざまな電子コンポーネントが構築されます。

P-nジャンクションは、半導体デバイスで重要な役割を果たします。

ダイオードやトランジスタなどのさまざまなデバイスで使用され、電子コンポーネントの電気信号の変換、制御、処理に使用されます。

さらに、P-N接合部も太陽電池で使用されており、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する上で重要な役割を果たします。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
SemiHow Co.,Ltd.	HCS80R650E	230Kb/7P	800V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCA60R095T	270Kb/7P	600V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCD70R350E	246Kb/8P	700V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCU6N70S	199Kb/7P	700V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCP12NK65V	398Kb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCS12NK65V	423Kb/7P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCS60R092E	248Kb/7P	600V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCU65R360S	268Kb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCD7NE70S	198Kb/7P	700V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCH20NT60V	376Kb/7P	600V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCU7N70S	197Kb/7P	700V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCS70R350E	645Kb/7P	700V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCU65R600S	265Kb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCU65R660S	285Kb/8P	650V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCU70R600S	265Kb/8P	700V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCD6NC70S	200Kb/7P	700V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCS20NT60V	384Kb/7P	600V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCP20NT60V	392Kb/8P	600V N-Channel Super Junction MOSFET
	HCS80R250T	271Kb/7P	800V N-Channel Super Junction MOSFET

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