MOSFET Datasheet(PDF) - P06B03LVG - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

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MOSFET とは

金属酸化物 - 半導体フィールド効果トランジスタ（MOSFET）は、電源、モータードライブ、インバーターなどの高出力アプリケーションの制御に使用されるパワー半導体デバイスの一種です。

これは、フィールドエフェクトトランジスタ（FET）の一種です。つまり、電界を使用してソース端子と排水端子間の流れを制御することで動作します。

MOSFETでは、電流の流れは、薄い絶縁層によってデバイスの残りの部分から分離されるゲートとして機能する薄い金属酸化フィルムによって制御されます。

ゲート電圧は、ソース端子とドレイン端子間のチャネルの幅を制御し、デバイスを通る電流の流れを決定します。

N-ChannelとPチャネルの2つの主要なタイプがあります。 NチャネルMOSFETには、N型材料がドープされたチャネルがあり、PチャネルMOSFETにはPタイプの材料がドープされたチャネルがあります。

MOSFETは、高入力インピーダンス、低い状態抵抗、高速スイッチング速度、高効率など、他のタイプのパワー半導体よりもいくつかの利点を提供します。

また、非常に用途が広く、電源、モータードライブ、インバーターなどのさまざまなアプリケーションで使用できます。

ただし、MOSFETには、限られた電圧定格やデバイスを制御するゲートドライブ回路の必要性など、いくつかの欠点もあります。

さらに、熱暴走の影響を受けやすく、デバイスが過熱すると故障する可能性があります。

このリスクを軽減するために、MOSFETは、熱保護装置やスナバー回路など、他のコンポーネントと組み合わせて使用されることがよくあります。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Wuxi U-NIKC Semiconduct...	P06B03LVG	640Kb/8P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P0165EI	798Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P0303BV	376Kb/5P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P0460CTF-P	408Kb/5P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P2803HVG	329Kb/5P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P1210BVA	811Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P1410BK	934Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P3710BS	782Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P4006BV	778Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P7515BDB	815Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	PA520BA	757Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	PA610DD	546Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	PB5A2BA	812Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	PD6F8BA	805Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	PD616BA	759Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P0610BTF	775Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P1003EVG	376Kb/5P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P1025HDB	827Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P0260EIS	735Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
	P0470ATF	535Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET

MOSFET データシート, PDF

MOSFET とは

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