NOISE Datasheet(PDF) - TC1202

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NOISE とは

電子コンポーネントでは、「ノイズ」とは、コンポーネントまたは電子回路からの不規則な信号またはノイズを指します。

このノイズは、コンポーネントまたは回路の多くの要因によって引き起こされる可能性があります。

一般に、電子コンポーネントによって生成されるノイズは、電気ノイズと熱ノイズに分類されます。

電気ノイズは、電子部品の信号線の不規則な電圧または電流変化によって引き起こされます。

このノイズは、電子コンポーネントの性能を低下させ、信号精度を低下させます。

熱ノイズは、コンポーネント内の温度変化によって引き起こされます。このノイズは、抵抗などのコンポーネント特性に影響を与え、電子コンポーネントの信頼性と性能を低下させる可能性があります。

電子コンポーネントのノイズを減らすためにいくつかの方法が使用されています。

たとえば、ノイズを減らすために、電気回路設計では、フィルタリング、グランドループの結合、適切な抵抗器やコンデンサの選択などの技術を使用できます。

コンポーネントの内部熱を制御することにより、熱ノイズを減らすこともできます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Transcom, Inc.	TC1202	173Kb/4P	Super Low Noise GaAs FETs
	TC1102	243Kb/4P	Super Low Noise GaAs FETs
	TA060-120-11-10	72Kb/2P	6 ~ 12GHz 10dBm Low Noise Amplifier
	TA031-035-40-10	29Kb/1P	3.1 - 3.5 GHz Low Noise Amplifier
	TA020-060-11-10	72Kb/2P	2 ~ 6GHz 10dBm Low Noise Amplifier
	TC1101V	90Kb/2P	Low Noise and Medium Power GaAs FETs
	TC1301	251Kb/6P	Low Noise and Medium Power GaAs FETs
	TC2182	227Kb/3P	Low Noise Ceramic Packaged PHEMT GaAs FETs
	TC2282	225Kb/3P	Low Noise Ceramic Packaged PHEMT GaAs FETs
	TC1101	250Kb/5P	Low Noise and Medium Power GaAs FETs
	TC1304V	71Kb/2P	Low Noise and Medium Power GaAs FETs
	TA060-180-30-20	77Kb/2P	6 ~ 18 GHz 20dBm Low Noise Amplifier
	TA060-180-25-20	63Kb/2P	6 ~ 18 GHz 20dBm Low Noise Amplifier
	TC1301V	73Kb/2P	Low Noise and Medium Power GaAs FETs
	TC2111	162Kb/4P	Plastic Packaged Low Noise PHEMT GaAs FETs
	TA060-180-10-15	44Kb/2P	6 ~ 18 GHz 15dBm Low Noise Amplifier
	TA060-180-20-10	47Kb/2P	6 ~ 18 MHz 10dBm Low Noise Amplifier
	TC2101	167Kb/4P	Plastic Packaged Low Noise PHEMT GaAs FETs
	TC2211	158Kb/4P	Plastic Packaged Low Noise PHEMT GaAs FETs
	TC1304	261Kb/6P	Low Noise and Medium Power GaAs FETs

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