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TRENCH データシート, PDF

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メーカー部品番号データシート部品情報
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IXYS Corporation 		ITF48IF1200HR Datasheet pdf image
408Kb/7P		 Trench IGBT
FMM140-004PL Datasheet pdf image
32Kb/2P		 Trench Power MOSFET
FMM200-004PL Datasheet pdf image
46Kb/2P		 Trench Power MOSFET
FMM300-0055P Datasheet pdf image
46Kb/2P		 Trench Power MOSFET
IXUC160N075 Datasheet pdf image
55Kb/2P		 Trench Power MOSFET
FMM65-015P Datasheet pdf image
30Kb/2P		 Trench Power MOSFET
FMM200-0075P Datasheet pdf image
116Kb/2P		 Trench Power MOSFET
IXTP160N085T Datasheet pdf image
141Kb/5P		 Trench Gate Power MOSFET
MWI150-12T8T Datasheet pdf image
222Kb/7P		 Six-Pack Trench IGBT
IX112T06M-AG Datasheet pdf image
77Kb/2P		 Trench XPT IGBT Chip
IXTQ180N055T Datasheet pdf image
117Kb/5P		 Trench Gate Power MOSFET
IX150T06M-AG Datasheet pdf image
75Kb/2P		 Trench XPT IGBT Chip
MKI80-06T6K Datasheet pdf image
225Kb/5P		 H-Bridge Trench IGBT
MWI75-12T7T Datasheet pdf image
299Kb/6P		 Six-Pack Trench IGBT
IXGA150N33TC Datasheet pdf image
199Kb/5P		 Trench Gate High Speed
IXFV110N25T Datasheet pdf image
191Kb/5P		 Trench Gate Power HiperFET
IXFH86N30T Datasheet pdf image
182Kb/6P		 Trench HiperFET Power MOSFET
IXUC200N055 Datasheet pdf image
53Kb/2P		 Trench Power MOSFET ISOPLUS220
MWI50-12T7T Datasheet pdf image
274Kb/7P		 Six-Pack Trench IGBT
MWI75-12T8T Datasheet pdf image
338Kb/7P		 Six-Pack Trench IGBT

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TRENCH とは

「Trench」は電子コンポーネント製造技術の1つであり、半導体デバイスの作成プロセスで使用されています。

Trench Technologyは、半導体デバイスの電気性能を向上させるために開発された技術です。

TRENCHテクノロジーは、半導体デバイスの構造を再設計して、デバイスの熱の生成と性能の低下を改善します。

トレンチテクノロジーを使用すると、小さなピット（トレンチ）を半導体デバイス内で掘り、デバイスの表面積を増やすことができます。

電流が流れる経路が短いため、これにより電気性能が向上します。

TRENCHテクノロジーは、MOSFET（金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ）などの高性能半導体デバイスで主に使用されています。

これらの半導体デバイスは、高速電子回路、電力変換デバイス、自動車制御デバイスで使用されます。

Trenchテクノロジーは、デバイスのパフォーマンスと効率を向上させるため、最新の電子コンポーネント業界で非常に重要な役割を果たしています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。


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